北京时间11月20日消息，据科技网站TechRadar报道，三星推出了世界上首款10nm FinFET工艺的SRAM，全面逆袭老对手台积电和英特尔。SRAM即静态随机存取存储器，比我们常见的DRAM(动态随机存取存储器)更快，常用于CPU缓存等，也是研发测试新工艺的必经前提步骤。

三星推出了世界上首款基于10nm FinFET工艺的SRAM，为未来手机SoC进一步瘦身打下了重要基础。

这个新闻对三星的老对手们来说可谓是晴天霹雳，因为就像ETNews报道的，10nm FinFET技术的SRAM让三星站上了新的台阶，不但超越了老对手台积电，更是完成了对业界超级巨头英特尔的逆袭(由于成本过高，英特尔已将自家10nm芯片的量产计划推迟到2017年)。

三星的这款SRAM将用于制造处理器高速缓存，FinFET技术的加持还可让其体积比上代的14nm SRAM缩小37.5%。此外，在性能表现和功耗上，新的技术也会带来更好的效果，手机的续航也会有一定的增长，而这些都是消费者们喜闻乐见的。

三星预计将于2016年底开始大规模量产10nm的SRAM，正好可以赶上年初的新旗舰Galaxy S8，至于10nm的威力到底有多强，让我们拭目以待吧。

爆发式成长

三星在芯片研发上可是卯足了吃奶的劲，今年9月该公司还在硅谷设立了一个新的总部，专攻半导体和屏幕方面的研发。

三星电子CEO权五铉(Oh-Hyun Kwon)表示：“新总部的设立为未来三星的爆发式成长打下了坚实的基础。”

希望三星的一系列大动作能唤醒那些半睡不醒的对手，这样半导体业界才能有好戏看嘛!