（价格仅供参考，请以实际价格为准） BiasHAST高加速寿命偏压MOSFET-HAST测试 HAST半导体芯片立式偏压老化测试系统，HAST测试系统采用立式结构，便于操作和观察。它利用高温高湿的环境条件，对半导体芯片施加偏置电压，以模拟芯片在长时间使用过程中的老化效应。该系统广泛应用于IC封装、半导体、微电子芯片、磁性材料及电子零件的可靠性测试。 BiasHAST高加速寿命偏压MOSFET-HAST测试 HAST半导体芯片立式偏压老化测试系统适用于各种封装形式的射频场效应管、射频功率器件等半导体芯片的可靠性测试。通过该测试，可以评估芯片在高温高湿环境下的性能稳定性、寿命以及潜在的失效模式，为芯片的研发、生产和质量控制提供重要依据。 BiasHAST高加速寿命偏压MOSFET-HAST测试 B-HAST高加速寿命偏压老化测试系统适用于IC封装，半导体，微电子芯片，磁性材料及电子零件进行高压、高温、不饱和/饱和湿热、等加速寿命信赖性试验，使用于在产品的设计阶段，用于快速暴露产品的缺陷和薄弱环节。测试其制品的密封性和老化性能。 B-HAST高加速寿命偏压老化测试系统是将被测元件放置于一定的环境温度中,（环境温度依据被测元件规格设定）给被测元件施加一定的偏置电压。同时控制系统实时检测每个材料的漏电流，电压，并根据预先设定，当被测材料实时漏电流超出设定时，自动切断被测材料的电压，可以保护被测元件不被进一步烧毁。